专利名称：石英埚盖专利类型：实用新型专利发明人：宋都明,孙毅,王林,张颂越申请号：CN201521016983.4申请日：20151209公开号：CN205258653U公开日：20160525
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉单晶硅的石英埚的石英埚盖。石英埚盖上设有用于单晶硅生长的中心孔，石英埚盖的下沿内表面与石英埚上端外表面紧密配合。通过对石英埚头部增加石英埚盖，可以有效的减少AR（氩气）进入石英埚内的含量，从而减少液面SiO的挥发速度，增加单晶硅的氧含量。常规采用没有石英埚盖制备单晶硅的氧含量为9-11E16atm/cm,而增加本石英埚盖后，制备单晶硅的氧含量为15-17E16？atm/cm。
申请人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
地址：300384 天津市西青区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
国籍：CN
代理机构：天津中环专利商标代理有限公司
代理人：王凤英
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