专利名称：半导体栅极结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：高玮
申请号：CN201910095566.X申请日：20190131公开号：CN111261632A公开日：20200609
摘要：本发明提供了一种半导体栅极结构及其制备方法，通过将金属栅极在栅极沟槽中的填充厚度降低至该栅极沟槽深度的1/7～2/5，以降低栅极电阻，增大器件电流，进而提高器件性能。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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